Número de Producto del Fabricante:
2SK3132(Q)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
2SK3132(Q)-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 50A TO3P
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 50A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(L)
Inventario:
12890088
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ENVIAR
2SK3132(Q) Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
95mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
280 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11000 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P(L)
Paquete / Caja
TO-3PL
Número de producto base
2SK3132
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFK64N50Q3
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
23
NÚMERO DE PIEZA
IXFK64N50Q3-DG
PRECIO UNITARIO
17.55
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
TK31J60W,S1VQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
25
NÚMERO DE PIEZA
TK31J60W,S1VQ-DG
PRECIO UNITARIO
4.32
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXFK78N50P3
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXFK78N50P3-DG
PRECIO UNITARIO
12.94
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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