Número de Producto del Fabricante:
HN1B01FU-GR,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
HN1B01FU-GR,LF-DG
Descripción:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW, 210mW Surface Mount US6
Inventario:
2960 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890675
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ENVIAR
HN1B01FU-GR,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de transistores bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN, PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
150mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 2mA, 6V
Potencia - Máx.
200mW, 210mW
Frecuencia - Transición
150MHz
Temperatura de funcionamiento
125°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivos del proveedor
US6
Número de producto base
HN1B01
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
HN1B01FU-GRLFCT
HN1B01FUGRLFTDKR
HN1B01FU-GR,LF(B
HN1B01FUGRLFT
HN1B01FU-GR,LF(T
HN1B01FUGRLFTTR
HN1B01FU-GRLFDKR
HN1B01FU-GRLF
HN1B01FUGRLFTCT-DG
HN1B01FU-GRLF-DG
HN1B01FU-GRLFINACTIVE
HN1B01FU-GRLFTR
HN1B01FUGRLFTCT
HN1B01FUGRLFTDKR-DG
HN1B01FUGRLFTTR-DG
HN1B01FU-GR(L,F,T)
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificación DIGI
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