Número de Producto del Fabricante:
HN1C03FU-B,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
HN1C03FU-B,LF-DG
Descripción:
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 200mW Surface Mount US6
Inventario:
5728 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890344
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ENVIAR
HN1C03FU-B,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de transistores bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
2 NPN (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
300mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
20V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30A
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
350 @ 4mA, 2V
Potencia - Máx.
200mW
Frecuencia - Transición
30MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivos del proveedor
US6
Número de producto base
HN1C03
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
HN1C03FU-B,LF(B
HN1C03FU-B,LF(T
HN1C03FU-BLFDKR
HN1C03FU-BLFTR
HN1C03FU-BLFCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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