Número de Producto del Fabricante:
MT3S113P(TE12L,F)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
MT3S113P(TE12L,F)-DG
Descripción:
RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
Descripción Detallada:
RF Transistor NPN 5.3V 100mA 7.7GHz 1.6W Surface Mount PW-MINI
Inventario:
6 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889648
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ENVIAR
MT3S113P(TE12L,F) Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores RF Bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
5.3V
Frecuencia - Transición
7.7GHz
Figura de ruido (dB Typ @ f)
1.45dB @ 1GHz
Ganar
10.5dB
Potencia - Máx.
1.6W
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 30mA, 5V
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
TO-243AA
Paquete de dispositivos del proveedor
PW-MINI
Número de producto base
MT3S113
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
MT3S113P(TE12LF)TR
MT3S113P(TE12LF)DKR
MT3S113P(TE12LF)CT
MT3S113P(TE12LF)
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BFP843H6327XTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
6037
NÚMERO DE PIEZA
BFP843H6327XTSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
BFP196E6327HTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
13440
NÚMERO DE PIEZA
BFP196E6327HTSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.07
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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