Número de Producto del Fabricante:
RN1111,LXHF(CT
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
RN1111,LXHF(CT-DG
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventario:
6000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12973161
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ENVIAR
RN1111,LXHF(CT Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Resistencia - Base (R1)
10 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición
250 MHz
Potencia - Máx.
100 mW
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SC-75, SOT-416
Paquete de dispositivos del proveedor
SSM
Número de producto base
RN1111
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
264-RN1111,LXHF(CTTR
264-RN1111LXHF(CTTR
264-RN1111,LXHF(CTDKR
264-RN1111LXHF(CTDKR-DG
264-RN1111,LXHF(CT
264-RN1111LXHF(CTTR-DG
264-RN1111LXHF(CTDKR
264-RN1111LXHF(CT
264-RN1111LXHF(CT-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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