Número de Producto del Fabricante:
RN4988FE,LXHF(CT
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
RN4988FE,LXHF(CT-DG
Descripción:
AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=22KO
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventario:
8000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12973869
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ENVIAR
RN4988FE,LXHF(CT Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de Transistores Bipolares, Pre-Biasados
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Resistencia - Base (R1)
22kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
47kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA
Frecuencia - Transición
250MHz, 200MHz
Potencia - Máx.
100mW
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos del proveedor
ES6
Número de producto base
RN4988
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
264-RN4988FE,LXHF(CT
264-RN4988FELXHF(CT
264-RN4988FE,LXHF(CTDKR
264-RN4988FE,LXHF(CTDKR-DG
264-RN4988FE,LXHF(CTTR-DG
264-RN4988FE,LXHF(CT-DG
264-RN4988FELXHF(CTTR
264-RN4988FELXHF(CTDKR
264-RN4988FE,LXHF(CTTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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