Número de Producto del Fabricante:
SSM3J145TU,LXHF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3J145TU,LXHF-DG
Descripción:
SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Inventario:
1346 Pcs Nuevos Originales En Stock
12964565
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ENVIAR
SSM3J145TU,LXHF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
103mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
+6V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
270 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
UFM
Paquete / Caja
3-SMD, Flat Leads
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM3J145TU,LXHF(B
264-SSM3J145TULXHFTR
264-SSM3J145TULXHFDKR
264-SSM3J145TULXHFCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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