Número de Producto del Fabricante:
SSM3J35AMFV,L3F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3J35AMFV,L3F-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventario:
48370 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890401
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ENVIAR
SSM3J35AMFV,L3F Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVII
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
250mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 100µA
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
42 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
VESM
Paquete / Caja
SOT-723
Número de producto base
SSM3J35
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
SSM3J35AMFVL3FDKR
SSM3J35AMFVL3F
SSM3J35AMFVL3F(B
SSM3J35AMFV,L3F(B
SSM3J35AMFVL3FTR
SSM3J35AMFV,L3F(T
SSM3J35AMFVL3FCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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