Número de Producto del Fabricante:
SSM3J66MFV,L3XHF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3J66MFV,L3XHF-DG
Descripción:
AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventario:
14411 Pcs Nuevos Originales En Stock
12996440
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ENVIAR
SSM3J66MFV,L3XHF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
800mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
+6V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
100 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
VESM
Paquete / Caja
SOT-723
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
264-SSM3J66MFV,L3XHFDKR
264-SSM3J66MFVL3XHFTR
264-SSM3J66MFVL3XHFDKR
264-SSM3J66MFV,L3XHFCT
264-SSM3J66MFV,L3XHFDKR-DG
264-SSM3J66MFV,L3XHFTR-DG
264-SSM3J66MFVL3XHFCT
264-SSM3J66MFV,L3XHFTR
264-SSM3J66MFV,L3XHFCT-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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