Número de Producto del Fabricante:
SSM3K62TU,LXHF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3K62TU,LXHF-DG
Descripción:
SMOS LOW RON NCH VDSS:20V ID:0.8
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 800mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Inventario:
8825 Pcs Nuevos Originales En Stock
12964353
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ENVIAR
SSM3K62TU,LXHF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
800mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
57mOhm @ 800mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
177 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
UFM
Paquete / Caja
3-SMD, Flat Lead
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
264-SSM3K62TULXHFDKR
264-SSM3K62TULXHFCT
264-SSM3K62TULXHFTR
SSM3K62TU,LXHF(B
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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