Número de Producto del Fabricante:
SSM3K7002KFU,LXH
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3K7002KFU,LXH-DG
Descripción:
SMOS LOW RON NCH IO: 0.4A VDSS:
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 400mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount USM
Inventario:
7941 Pcs Nuevos Originales En Stock
12964899
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ENVIAR
SSM3K7002KFU,LXH Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
400mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
40 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
USM
Paquete / Caja
SC-70, SOT-323
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
264-SSM3K7002KFULXHTR
264-SSM3K7002KFULXHCT
SSM3K7002KFU,LXH(B
264-SSM3K7002KFULXHDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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