Número de Producto del Fabricante:
SSM6J214FE(TE85L,F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6J214FE(TE85L,F-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 3.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventario:
19745 Pcs Nuevos Originales En Stock
12891207
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SSM6J214FE(TE85L,F Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
50mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
560 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
ES6
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Número de producto base
SSM6J214
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
SSM6J214FE(TE85LFDKR
SSM6J214FE(TE85LFTR
SSM3K17FULF
SSM6J214FE(TE85LFCT
SSM3K17FULF(B
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TPC8032-H(TE12LQM)
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
TK18A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS
TPC8A05-H(TE12L,QM
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP