Número de Producto del Fabricante:
TJ20A10M3(STA4,Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TJ20A10M3(STA4,Q-DG
Descripción:
TJ20A10M3(STA4,Q
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 20A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventario:
12991587
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ENVIAR
TJ20A10M3(STA4,Q Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
90mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5500 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220SIS
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
TJ20A10
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
264-TJ20A10M3(STA4Q
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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