Número de Producto del Fabricante:
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TJ30S06M3L(T6L1,NQ-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 30A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventario:
2000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889546
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ENVIAR
TJ30S06M3L(T6L1,NQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
21.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+10V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3950 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK+
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
TJ30S06
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
264-TJ30S06M3L(T6L1NQTR
TJ30S06M3L(T6L1NQ-DG
264-TJ30S06M3L(T6L1,NQTR-DG
TJ30S06M3LT6L1NQ
TJ30S06M3L(T6L1NQ
264-TJ30S06M3L(T6L1,NQTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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