Número de Producto del Fabricante:
TJ90S04M3L,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TJ90S04M3L,LQ-DG
Descripción:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Descripción Detallada:
P-Channel 40 V 90A (Ta) 180W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventario:
69 Pcs Nuevos Originales En Stock
12988410
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ENVIAR
TJ90S04M3L,LQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
90A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
172 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+10V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7700 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK+
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
264-TJ90S04M3L,LQDKR
264-TJ90S04M3LLQTR-DG
264-TJ90S04M3L,LQTR
264-TJ90S04M3LLQTR
264-TJ90S04M3L,LQCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TJ90S04M3L,LXHQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
6685
NÚMERO DE PIEZA
TJ90S04M3L,LXHQ-DG
PRECIO UNITARIO
0.61
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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