Número de Producto del Fabricante:
TK110Z65Z,S1F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK110Z65Z,S1F-DG
Descripción:
POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 24A (Ta) 190W (Tc) Through Hole TO-247-4L(T)
Inventario:
15 Pcs Nuevos Originales En Stock
12987888
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ENVIAR
TK110Z65Z,S1F Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
DTMOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
24A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
110mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1.02mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2250 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4L(T)
Paquete / Caja
TO-247-4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Otros nombres
264-TK110Z65Z,S1F
264-TK110Z65ZS1F
264-TK110Z65Z,S1F-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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