Número de Producto del Fabricante:
TK12J60W,S1VE(S
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK12J60W,S1VE(S-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 11.5A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventario:
12953712
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ENVIAR
TK12J60W,S1VE(S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
300mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.7V @ 600µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
890 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P(N)
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
TK12J60
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Otros nombres
264-TK12J60WS1VE(S
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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