Número de Producto del Fabricante:
TK3R1P04PL,RQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK3R1P04PL,RQ-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 58A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventario:
10623 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889107
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TK3R1P04PL,RQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIX-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
58A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.1mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4670 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
87W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
TK3R1P04
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
TK3R1P04PLRQCT
TK3R1P04PLRQ(S2
TK3R1P04PLRQDKR
TK3R1P04PL,RQ(S2
TK3R1P04PLRQTR
TK3R1P04PLRQ
TK3R1P04PL,RQTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SSM6K405TU,LF
MOSFET N-CH 20V 2A UF6
TK31J60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
DMS3014SFGQ-7
MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8
