Número de Producto del Fabricante:
TK4P55DA(T6RSS-Q)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK4P55DA(T6RSS-Q)-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 550 V 3.5A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventario:
12889135
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TK4P55DA(T6RSS-Q) Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
π-MOSVII
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
550 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.45Ohm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
380 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
TK4P55
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
TK4P55DAT6RSSQ
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDD5N60NZTM
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
45384
NÚMERO DE PIEZA
FDD5N60NZTM-DG
PRECIO UNITARIO
0.40
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
Productos relacionados
SSM3J14TTE85LF
MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
SSM3K127TU,LF
MOSFET N-CH 30V 2A UFM
SSM5G10TU(TE85L,F)
MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
