Número de Producto del Fabricante:
TK4R4P06PL,RQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK4R4P06PL,RQ-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 58A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventario:
885 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890822
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ENVIAR
TK4R4P06PL,RQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIX-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
58A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.4mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
48.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3280 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
87W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
TK4R4P06
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
TK4R4P06PLRQ(S2
TK4R4P06PLRQ
TK4R4P06PL,RQTR
TK4R4P06PLRQCT
TK4R4P06PLRQDKR
TK4R4P06PL,RQ(S2
TK4R4P06PLRQTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
NP90N055VUK-E1-AY
FABRICANTE
Renesas Electronics Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
4797
NÚMERO DE PIEZA
NP90N055VUK-E1-AY-DG
PRECIO UNITARIO
0.80
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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