Número de Producto del Fabricante:
TK62N60W5,S1VF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK62N60W5,S1VF-DG
Descripción:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247
Inventario:
7 Pcs Nuevos Originales En Stock
12988616
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ENVIAR
TK62N60W5,S1VF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
61.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
45mOhm @ 30.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 3.1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
205 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6500 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
400W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247
Paquete / Caja
TO-247-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
264-TK62N60W5,S1VF
264-TK62N60W5S1VF
264-TK62N60W5S1VF-DG
264-TK62N60W5,S1VF-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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