Número de Producto del Fabricante:
TPC8035-H(TE12L,QM
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPC8035-H(TE12L,QM-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 18A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Inventario:
12891003
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ENVIAR
TPC8035-H(TE12L,QM Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
U-MOSVI-H
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.2mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7800 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP (5.5x6.0)
Paquete / Caja
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Número de producto base
TPC8035
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
TPC8035-HTE12LQMDKR
TPC8035HTE12LQM
TPC8035-HTE12LQMTR
TPC8035-HTE12LQMCT
TPC8035-H(TE12L,QM-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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