Número de Producto del Fabricante:
TPC8129,LQ(S
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPC8129,LQ(S-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 9A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventario:
4976 Pcs Nuevos Originales En Stock
12891657
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ENVIAR
TPC8129,LQ(S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
22mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1650 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
TPC8129
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
TPC8129LQ(S
TPC8129LQ(S-DG
TPC8129LQS
264-TPC8129,LQ(SDKR
264-TPC8129,LQ(STR
264-TPC8129,LQ(SCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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