Número de Producto del Fabricante:
TPCF8102(TE85L,F,M
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPCF8102(TE85L,F,M-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 6A VS-8
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
Inventario:
12891019
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TPCF8102(TE85L,F,M Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
U-MOSIII
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
30mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1550 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
VS-8 (2.9x1.5)
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Número de producto base
TPCF8102
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TK12J60U(F)
MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
TK14C65W5,S1Q
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
TK14E65W5,S1X
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
