Número de Producto del Fabricante:
TPH3R70APL1,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPH3R70APL1,LQ-DG
Descripción:
150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Inventario:
9377 Pcs Nuevos Originales En Stock
12927096
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ENVIAR
TPH3R70APL1,LQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6300 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
210W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP Advance (5x5.75)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
TPH3R70
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
264-TPH3R70APL1,LQCT
264-TPH3R70APL1LQCT
TPH3R70APL1,LQ(M
264-TPH3R70APL1,LQTR
264-TPH3R70APL1,LQDKR-DG
264-TPH3R70APL1LQDKR
264-TPH3R70APL1,LQCT-DG
264-TPH3R70APL1,LQDKR
264-TPH3R70APL1,LQTR-DG
264-TPH3R70APL1LQTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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