Número de Producto del Fabricante:
TPW1R005PL,L1Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPW1R005PL,L1Q-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
Descripción Detallada:
N-Channel 45 V 300A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Inventario:
13883 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890354
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Mínimo 1
4JBQ
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ENVIAR
TPW1R005PL,L1Q Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIX-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
45 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
300A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9600 pF @ 22.5 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-DSOP Advance
Paquete / Caja
8-PowerWDFN
Número de producto base
TPW1R005
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
TPW1R005PLL1QCT
TPW1R005PL,L1Q(M
TPW1R005PLL1QTR
TPW1R005PLL1QDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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