Número de Producto del Fabricante:
XPH4R10ANB,L1XHQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
XPH4R10ANB,L1XHQ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 70A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventario:
34309 Pcs Nuevos Originales En Stock
12975982
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
XPH4R10ANB,L1XHQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
70A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4970 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
XPH4R10
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
264-XPH4R10ANBL1XHQCT
XPH4R10ANB,L1XHQ(O
264-XPH4R10ANBL1XHQDKR
264-XPH4R10ANBL1XHQTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TK40S06N1L,LQ
MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
TSG65N110CE RVG
650V, 18A, PDFN88, E-MODE GAN TR
NTTFS016N06CTAG
MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
