Número de Producto del Fabricante:
XPN9R614MC,L1XHQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
XPN9R614MC,L1XHQ-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Descripción Detallada:
P-Channel 40 V 40A (Ta) 840mW (Ta), 100W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Inventario:
13431 Pcs Nuevos Originales En Stock
12939526
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ENVIAR
XPN9R614MC,L1XHQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
40A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+10V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3000 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
840mW (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
XPN9R614
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
264-XPN9R614MCL1XHQCT
XPN9R614MC,L1XHQ(O
264-XPN9R614MCL1XHQTR
264-XPN9R614MCL1XHQDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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