TP65H035G4WS
Número de Producto del Fabricante:

TP65H035G4WS

Product Overview

Fabricante:

Transphorm

Número de pieza:

TP65H035G4WS-DG

Descripción:

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventario:

813 Pcs Nuevos Originales En Stock
12938528
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TP65H035G4WS Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalaje
Tube
Serie
SuperGaN™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
46.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
41mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.8V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22 nC @ 0 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
TP65H035

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
TP65H035G4WS

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
1707-TP65H035G4WS

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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