Número de Producto del Fabricante:
TP65H150G4PS
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
Número de pieza:
TP65H150G4PS-DG
Descripción:
GAN FET N-CH 650V TO-220
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
3165 Pcs Nuevos Originales En Stock
12950404
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ENVIAR
TP65H150G4PS Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalaje
Tube
Serie
SuperGaN®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.8V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
598 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
1707-TP65H150G4PS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Certificación DIGI
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