TPH3212PS

Número de Producto del Fabricante:

TPH3212PS

Product Overview

Fabricante:

Transphorm

Número de pieza:

TPH3212PS-DG

Descripción:

GANFET N-CH 650V 27A TO220AB

Descripción Detallada:

N-Channel 650 V 27A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventario:

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13446813

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TPH3212PS Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Transphorm

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

650 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

27A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

72mOhm @ 17A, 8V

vgs(th) (máx.) @ id

2.6V @ 400uA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

14 nC @ 8 V

Vgs (máx.)

±18V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1130 pF @ 400 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

104W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-220AB

Paquete / Caja

TO-220-3

Número de producto base

TPH3212

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

50

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

RoHS Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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