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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
UF3SC065040D8S
Product Overview
Fabricante:
Qorvo
Número de pieza:
UF3SC065040D8S-DG
Descripción:
SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 4-DFN (8x8)
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12967200
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ENVIAR
UF3SC065040D8S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Qorvo
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
12V
rds activados (máx.) @ id, vgs
58mOhm @ 20A, 12V
vgs(th) (máx.) @ id
6V @ 10mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
43 nC @ 12 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-DFN (8x8)
Paquete / Caja
4-PowerTSFN
Número de producto base
UF3SC065040
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
UF3SC065040D8S
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
2312-UF3SC065040D8SDKR
2312-UF3SC065040D8STR
2312-UF3SC065040D8SCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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