UJ3C120070K3S
Número de Producto del Fabricante:

UJ3C120070K3S

Product Overview

Fabricante:

Qorvo

Número de pieza:

UJ3C120070K3S-DG

Descripción:

SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 34.5A (Tc) 254.2W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventario:

737 Pcs Nuevos Originales En Stock
12954424
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

UJ3C120070K3S Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Qorvo
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
34.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
12V
rds activados (máx.) @ id, vgs
90mOhm @ 20A, 12V
vgs(th) (máx.) @ id
6V @ 10mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
46 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
254.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
UJ3C120070

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
2312-UJ3C120070K3S

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

IRF710PBF-BE3

MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB

vishay-siliconix

IRFL9014TRPBF-BE3

MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223

harris-corporation

IRF353

N-CHANNEL POWER MOSFET

toshiba-semiconductor-and-storage

XPH2R106NC,L1XHQ

MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP