Número de Producto del Fabricante:
US1M-E3/5AT
Product Overview
Fabricante:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Número de pieza:
US1M-E3/5AT-DG
Descripción:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Descripción Detallada:
Diode 1000 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Inventario:
22677 Pcs Nuevos Originales En Stock
12913834
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ENVIAR
US1M-E3/5AT Especificaciones Técnicas
Categoría
Rectificadores, Diodos simples
Fabricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
Standard
Voltaje: CC inversa (VR) (máx.)
1000 V
Actual - Promedio rectificado (Io)
1A
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si
1.7 V @ 1 A
Velocidad
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
75 ns
Corriente - Fuga inversa @ vr
10 µA @ 1000 V
Capacitancia @ Vr, F
10pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
DO-214AC, SMA
Paquete de dispositivos del proveedor
DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamiento - Unión
-55°C ~ 150°C
Número de producto base
US1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
7,500
Otros nombres
US1ME35AT
US1M-E3/5AT-DG
US1M-E3/5ATGICT
US1M-E3/5ATGIDKR
US1M-E3/5ATGITR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Certificación DIGI
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