Número de Producto del Fabricante:
2N6661JTX02
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
2N6661JTX02-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Descripción Detallada:
N-Channel 90 V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventario:
12873273
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ENVIAR
2N6661JTX02 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
90 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
860mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-39
Paquete / Caja
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Número de producto base
2N6661
Información Adicional
Paquete Estándar
20
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
2N6661
FABRICANTE
Solid State Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
6694
NÚMERO DE PIEZA
2N6661-DG
PRECIO UNITARIO
4.60
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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