IRFBC20STRR
Número de Producto del Fabricante:

IRFBC20STRR

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

IRFBC20STRR-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 2.2A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

12893197
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IRFBC20STRR Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.4Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IRFBC20

Información Adicional

Paquete Estándar
800

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IRFBC20STRLPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
416
NÚMERO DE PIEZA
IRFBC20STRLPBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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