IRFBC30PBF

Número de Producto del Fabricante:

IRFBC30PBF

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

IRFBC30PBF-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB

Descripción Detallada:

N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventario:

17159 Pcs Nuevos Originales En Stock

12907402

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IRFBC30PBF Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Vishay

Embalaje

Tube

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

600 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

3.6A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

2.2Ohm @ 2.2A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

31 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

660 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

74W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-220AB

Paquete / Caja

TO-220-3

Número de producto base

IRFBC30

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

50

Otros nombres

*IRFBC30PBF

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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