Número de Producto del Fabricante:
IRFBC40STRLPBF
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
IRFBC40STRLPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
800 Pcs Nuevos Originales En Stock
12893390
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
iz6o
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRFBC40STRLPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IRFBC40
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
IRFBC40STRLPBFTR
IRFBC40STRLPBFDKR
IRFBC40STRLPBF-DG
IRFBC40STRLPBFCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TSM220NB06CR RLG
MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
IRF9610SPBF
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
IRF510STRR
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK