IRFBF20LPBF

Número de Producto del Fabricante:

IRFBF20LPBF

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

IRFBF20LPBF-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK

Descripción Detallada:

N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventario:

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12906291

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IRFBF20LPBF Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Vishay

Embalaje

Tube

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

900 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

1.7A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

8Ohm @ 1A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

38 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

490 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

3.1W (Ta), 54W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

I2PAK

Paquete / Caja

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Número de producto base

IRFBF20

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

1,000

Otros nombres

*IRFBF20LPBF

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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