Número de Producto del Fabricante:
IRFD210
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
IRFD210-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 600mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventario:
12905651
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRFD210 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
600mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 360mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
140 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
4-HVMDIP
Paquete / Caja
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Número de producto base
IRFD210
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
*IRFD210
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFD210PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
13621
NÚMERO DE PIEZA
IRFD210PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.46
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
Productos relacionados
ZVN2110GTA
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
IRFR110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
IXFR27N80Q
MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247
