IRFD9220PBF

Número de Producto del Fabricante:

IRFD9220PBF

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

IRFD9220PBF-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP

Descripción Detallada:

P-Channel 200 V 560mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventario:

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12881521

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IRFD9220PBF Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Vishay

Embalaje

Tube

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

200 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

560mA (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

1.5Ohm @ 340mA, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

15 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

340 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

1W (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

4-HVMDIP

Paquete / Caja

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Número de producto base

IRFD9220

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

100

Otros nombres

2266-IRFD9220PBF

*IRFD9220PBF

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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