Número de Producto del Fabricante:
IRFSL11N50A
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
IRFSL11N50A-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262-3
Inventario:
12914099
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ENVIAR
IRFSL11N50A Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
550mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1426 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IRFSL11
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
*IRFSL11N50A
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFSL11N50APBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IRFSL11N50APBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.49
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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