IRFU1N60APBF
Número de Producto del Fabricante:

IRFU1N60APBF

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

IRFU1N60APBF-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-251AA

Inventario:

1927 Pcs Nuevos Originales En Stock
12911750
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IRFU1N60APBF Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7Ohm @ 840mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
229 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251AA
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IRFU1

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
75
Otros nombres
*IRFU1N60APBF
IRFU1N60APBF-DG
742-IRFU1N60APBF

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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