Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Mexico
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Mexico
Cambiar:
Inglés
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
SI1026X-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI1026X-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 305mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventario:
292563 Pcs Nuevos Originales En Stock
12916877
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI1026X-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
305mA
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
30pF @ 25V
Potencia - Máx.
250mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-89 (SOT-563F)
Número de producto base
SI1026
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
SI1026X-T1-GE3
Hoja de datos HTML
SI1026X-T1-GE3-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI1026X-T1-GE3DKR
SI1026XT1GE3
SI1026X-T1-GE3CT
SI1026X-T1-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI3586DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
SI7940DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO8
SIZ728DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 16A 6PWRPAIR
SI7222DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212