Número de Producto del Fabricante:
SI1302DL-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI1302DL-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 600mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SC-70-3
Inventario:
22512 Pcs Nuevos Originales En Stock
12961876
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ENVIAR
SI1302DL-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
600mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
480mOhm @ 600mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
280mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-70-3
Paquete / Caja
SC-70, SOT-323
Número de producto base
SI1302
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI1302DL-T1-GE3TR
SI1302DL-T1-GE3DKR
SI1302DL-T1-GE3CT
SI1302DLT1GE3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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