Número de Producto del Fabricante:
SI1303DL-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI1303DL-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 670mA (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3
Inventario:
12912222
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ENVIAR
SI1303DL-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
670mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
430mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
290mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-70-3
Paquete / Caja
SC-70, SOT-323
Número de producto base
SI1303
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BSS209PWH6327XTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
76915
NÚMERO DE PIEZA
BSS209PWH6327XTSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.04
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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