Número de Producto del Fabricante:
SI1404BDH-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI1404BDH-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 1.9A/2.37A SC70
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 1.9A (Ta), 2.37A (Tc) 1.32W (Ta), 2.28W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Inventario:
12915018
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI1404BDH-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
238mOhm @ 1.9A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
100 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-70-6
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Número de producto base
SI1404
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFR9010TRL
MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
SI7491DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8
SI4620DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6A/7.5A 8SO
