Número de Producto del Fabricante:
SI1499DH-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI1499DH-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
Descripción Detallada:
P-Channel 8 V 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 2.78W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Inventario:
1350 Pcs Nuevos Originales En Stock
12913209
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ENVIAR
SI1499DH-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
78mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
800mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
650 pF @ 4 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-70-6
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Número de producto base
SI1499
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI1499DH-T1-GE3DKR
SI1499DH-T1-GE3CT
SI1499DH-T1-GE3TR
SI1499DHT1GE3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI1499DH-T1-BE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
2800
NÚMERO DE PIEZA
SI1499DH-T1-BE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.19
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
NÚMERO DE PARTE
SI1499DH-T1-E3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
9846
NÚMERO DE PIEZA
SI1499DH-T1-E3-DG
PRECIO UNITARIO
0.20
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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