Número de Producto del Fabricante:
SI2367DS-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI2367DS-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 3.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventario:
15904 Pcs Nuevos Originales En Stock
12915894
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ENVIAR
SI2367DS-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
66mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
561 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
SI2367
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI2367DS-T1-GE3DKR
SI2367DST1GE3
SI2367DS-T1-GE3-DG
SI2367DS-T1-GE3TR
SI2367DS-T1-GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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