SI3447BDV-T1-E3
Número de Producto del Fabricante:

SI3447BDV-T1-E3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SI3447BDV-T1-E3-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 12V 4.5A 6TSOP
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 4.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Inventario:

12917450
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SI3447BDV-T1-E3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
40mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número de producto base
SI3447

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI3447BDV-T1-E3DKR
SI3447BDVT1E3
SI3447BDV-T1-E3TR
SI3447BDV-T1-E3CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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